元素电导质谱测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.半导体晶圆表面污染分析：碱金属离子含量、碱土金属离子含量、过渡金属离子含量、阴离子杂质含量。

2.高纯化学试剂纯度评估：总金属杂质含量、特定阴离子浓度、非挥发性残留物、颗粒物导致的电导变化。

3.光伏材料杂质检测：硅料中硼磷扩散系数相关杂质、镓铟等掺杂剂含量、氧碳含量与电性能关联分析。

4.电子特气中杂质分析：金属粒子浓度、水分含量、氧含量、二氧化碳含量及其他烃类杂质。

5.蚀刻液与清洗液成分监控：有效成分浓度、金属腐蚀产物积累量、杂质离子浓度、溶液电导率稳定性。

6.溅射靶材纯度分析：主成分含量、关键痕量杂质元素含量、气体元素含量、密度与电导率关联性。

7.封装材料离子污染测试：可水解卤化物含量、钠离子迁移率、钾离子迁移率、总离子含量。

8.超纯水水质分析：总有机碳含量、溶解性二氧化硅含量、微粒数、电阻率与特定离子浓度的对应关系。

9.液晶材料电学特性关联分析：离子型杂质含量、金属离子含量、介电常数与杂质浓度的相关性。

10.锂离子电池电解液分析：锂盐浓度、水分含量、金属杂质含量、酸值及其对离子电导率的影响。

11.光纤预制棒杂质检测：过渡金属离子含量、氢氧根离子含量、稀土掺杂均匀性、折射率与杂质分布关联。

12.键合线材纯度检测：金丝或铜丝中痕量杂质元素、拉伸强度与电导率的综合评估。

13.陶瓷基板金属化层分析：浆料中金属成分、玻璃相成分、烧结后离子迁移率、附着力与电性能测试。

14.抛光液磨料与添加剂分析：磨料颗粒粒径与浓度、氧化剂浓度、金属螯合剂含量、抛光速率与电化学效应关联。

15.光刻胶金属污染分析：光刻胶溶液中特定金属离子含量、聚合物纯度、溶剂残留对器件漏电流的影响评估。

检测范围

单晶硅片、砷化镓晶圆、碳化硅外延片、高纯硫酸、过氧化氢、氨水、氟化铵蚀刻液、氦气、氮气、硅烷气体、铜溅射靶材、铝溅射靶材、环氧模塑料、锡银铜焊锡膏、超纯水产出水、液晶单体、六氟磷酸锂电解液、光纤用四氯化硅、键合金丝、氧化铝陶瓷基板、二氧化铈抛光液、248纳米光刻胶

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定样品中痕量及超痕量金属元素与非金属元素的含量；具备极高的灵敏度与宽的动态线性范围。

2.离子色谱仪：用于分离和测定样品中多种阴离子、阳离子及有机酸根离子；常与电导检测器联用，实现高灵敏度检测。

3.超高纯水在线电阻率监测仪：实时监测超纯水的电阻率值；反映水中总离子浓度的变化，是水质纯度的关键指标。

4.实验室电导率仪：测量液体样品的电导率值；用于评估化学试剂的离子强度、纯度及浓度。

5.微波消解系统：用于固体样品的前处理，在高温高压下将样品完全消解；确保待测元素完全进入溶液，避免污染与损失。

6.洁净工作台与超净采样装置：提供局部高洁净度的操作环境；用于样品的制备、分装与转移，防止环境引入污染。

7.总有机碳分析仪：测定水样中总有机碳的含量；采用高温催化氧化或紫外氧化法，将有机物转化为二氧化碳进行检测。

8.激光剥蚀进样系统：与质谱仪联用，实现固体样品的直接原位微区分析；无需复杂消解，可进行元素分布成像。

9.气体纯化与进样装置：用于高纯电子特气的采样与预处理；可去除基体干扰，将气体中的杂质浓缩并导入分析仪器。

10.恒温恒湿样品储存箱：为待测样品提供稳定的温度与湿度保存环境；防止样品性质发生变化，特别是对湿度敏感的化学品与材料。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质